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테라의 300mm 반도체 장비는 100°C~1,350°C 넓은 온도 영역대의 열처리공정과 CVD공정에 대해 수십 nm급 최첨단 반도체 양산line에서의 검증된 기술을 확보하고 있습니다. Diffusion(확산)공정과 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 박막 증착 공정 장비까지 모든 공정 대응이 가능합니다. 즉, Thermal Oxide(산화), Anneal(열처리), Cu anneal & Alloying, Post Baking 등 Diffusion 공정장비와 (Un)Doped Poly Si(P, C), LPTEOS, Nitride등 LPCVD 공정장비들로 구성되어 있습니다. 특히, 온도제어가 어려운 100°C 영역의 저온 control 양산기술을 보유하고 있으며, 1,200°C 이상의 초고온 열처리 공정에 당사만의 신개념/신기술을 적용하여 열처리 한계로 불리는 Slip의 문제를 근본적으로 해결합니다. 또한, 당사의 LPCVD 장비는 독창적인 chamber 구조 및 gas 공급 시스템을 통하여 고객이 요구하는 박막의 엄격한 uniformity 및 높은 step coverage를 만족시키고 있습니다.


테라의 300mm LPCVD(Low Pressure Chemical Vaporized Deposition) system은 저압상태에서 화학 반응을 이용하여 반도체용 핵심 공정인 Doped Poly Si, Nitride, LPTEOS, Nitride, MTO 등 박막을 증착하는 장비입니다. 수십 nm급의 반도체 제조공정에 적용되는 LPCVD공정은 단위소자의 미세화로 인하여 더욱 높은 박막 uniformity 및 step coverage가 요구되고 있으며, 당사는 독창적인 chamber 구조 및 gas 공급 시스템을 통하여 고객이 요구하는 spec을 만족시키고 있습니다. 또한 증착 장비의 특성상 chemical반응에 의해 발생하는 부산물로 인한 파티클 발생을 최대한 억제하고 오염 방지를 위한 자체 설계기술, 다양한 양산 경험과 know-how를 확보하여 경쟁력이 뛰어난 high-end 장비를 제공합니다.


Applications:
- Doped Polysilicon(P, C doped Polysilicon)
- Nitride (Si3N4)
- LPTEOS, Oxide
- Radical Oxide
- ALD Oxide
Gas delivery system with N2, Si3N4, PH3/N2, DCS, NH3, CIF3, TEOS
CIF3 in-situ cleaning unit
Complete chamber sealing and N2 load-lock (option)
Flat zone: > 900mm
100~150 product wafer per batch
5 zones temp controller
High speed wafer transfer robot
16ea FOUP stock
Full factory automation compatible





테라의 열처리 장비는 100°C~1,350°C 온도 영역대에서 최첨단 반도체 양산line에서 요구되는 높은 성숙도의 다양한 저온/중온/고온 열처리 공정 적용이 가능한 장비를 제공합니다. 테라의 열처리 시스템은 신뢰성이 검증된 두께 산포와 높은 생산성을 바탕으로 국내/외 고객 site에서 대량으로 양산에 적용되고 있습니다. 100°C~400°C대의 저온 공정은 균일한 온도분포를 위하여 당사의 혁신적인 온도 제어 기술을 채택하고 있으며, 400°C~1,000°C대의 중온 장비는 Oxide 절연막 공정과 각종 Anneal/Flow 공정에 주로 사용되고 있습니다. 또한 고온 열처리 장비는 공정 온도에 따라 고온용(1,000°C~1,200°C)과 초고온용(1,200°C~1,350°C영역)으로 나누어 집니다. 300mm wafer를 1,000°C 이상의 고온에서 공정을 진행을 할 경우 고온에 의한 열응력 및 마찰응력에 의해 wafer의 변형(slip, warpage, bow)이 발생합니다. 당사의 고온용 장비는 초정밀 전산모사(simulation)를 바탕으로 최적의 chamber 설계 및 기류의 흐름을 조절하여 고온에서의 wafer 변형뿐만 아니라 금속오염 방지를 위한 특허화된 기술을 적용하고 있습니다.
Applications:
- 저온 온도대(100°C~400°C): Cu anneal, Alloy, PI-Bake
- 중온 온도대(400°C~1,000°C): Thermal Oxide(Wet/Dry), Anneal & Flow
- 고온 온도대(1,000°C~1,350°C): Well Drive In, Densification, Thermal process for SOI & Annealed Wafer
Complete chamber sealing and N2 load-lock (Option)
Flat zone: > 900mm
100~150 product wafers per batch
5 zones temp controller
High speed wafer transfer robot
16ea FOUP stock
Full factory automation compatible
상기 ITRS Roadmap을 보면 2012년부터 반도체시장이 450mm의 본격적인 R&D가 시작되며 테라는 450mm Vertical 열처리 장비 개발에도 박차를 가하고 있으며, 이미 2009년에 450mm Vertical Furnace장비분야에서는 세계 최초로 450mm Chamber를 제작하여 납품한 실적을 가지고 있으며, 450mm heater에 대한 온도의 균일성 및 공정 결과에 대해 고객으로부터 최종 Qual을 획득한 상태입니다. 이를 바탕으로 하여 450mm 반도체 장비업계의 선두주자로 거듭나기 위해 최선을 다하고 있습니다.